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臭氧在半导体晶片清洗工艺中的运用 返回 >>

作者:亚博登陆 日期: 2022-09-22 12:13:34

  近年来,在半导体工业中,逐步确立了将臭氧运用于晶圆清洗工艺中,这主要是利用了臭氧在水相中氧化有机污染物和金属污染物的功能。

  晶片是晶体的薄片,由纯硅(=硅)成长而成,用于出产电子元件,例如集成电路(IC)。硅自身不导电,有必要将其他离子引进其基质以使其导电(离子注入)。晶体结构的这些改动以杂乱的几许图画进行,以完成所需的导电功能。上图显现了晶片出产的简易进程。

  在硅晶片(SiO2)的外表上发生氧化层。该二氧化硅层是外表上的隔离层。它一般在含有氧气,水蒸气或其他氧化剂(O2,O3,H2O2)的环境中成长。

  a)晶片已涂有光刻胶,它能够作为一种薄膜运用,其作用类似于照相机中的照相胶卷。能够经过运用掩模在光刻胶中显影图画。经过光掩模,晶片运用紫外线辐射曝光。辐射会改动其化学键,使其在已曝光的当地(正性光刻胶)更易溶解。

  在此工艺进程中,蚀刻剂(气体或液体)会去除不受光刻胶维护的二氧化硅。离子被植入未维护的二氧化硅中。跟着离子的注入,外表的结构将改动。

  每个晶片的处理进程都是潜在的污染源。因而,晶圆的清洗有必要在每个加工进程之后进行,因而是制作进程中最常常重复的进程。

  因为晶片的处理进程都有特定类型的污染物,因而对晶片的清洗往往需求几个清洗进程才干去除晶体上的一切污染物。

  湿法清洗进程运用溶剂,酸,外表活性剂和去离子(DI)水的组合来喷发和溶解外表上的污染物。每次运用化学药品后,用去离子水冲刷。晶片外表的氧化有时会整合到清洗进程中。常见的湿法清洗有:RCA清洗,IMEC清洗法,单晶片清洗,稀释化学法等。

  这些清洗办法对臭氧浓度和流速的要求取决于详细的运用。关于清洗进程,一般会说到约5至20 mgL-1的液体浓度,要去除光刻胶,则需求更高的浓度(50 mgL-1或更高)。因而,确保气体中的臭氧浓度和水中的臭氧浓度在晶片清洗进程中是非常重要的。德国ANSEROS安索罗斯供给的臭氧发生器能够确保最高的臭氧输出量,且能够运用的资料彻底不含金属,意味着臭氧气体和臭氧水是颗粒洁净的。

  ●APCVD和CVD(化学气相堆积)机器是在腔体中运用臭氧气体,在腔体后运用臭氧损坏器(CAT-HO-8000)。

  ●硅片在水槽或旋转盘中的湿法清洗都运用高浓度的臭氧水,一般到达50ppm(50克O3/m3水)或依据要求更高。

  德国ANSEROS安索罗斯臭氧发生器COM-VD系列是专门为取得高浓度臭氧而规划的。在低氧气消耗量的气相中,臭氧最高浓度可到达 300g O3/Nm3。

  臭氧发生器COM-VD能与ANSEROS安索罗斯AOPR反应器合作运用,其质量搬运作用非常好,能够将很多的臭氧转换成液相,然后到达强力去除COD的意图。

  在半导体加工中,需求一个彻底洁净的臭氧体系。在加工进程中(晶圆/IMEC清洗/RCA清洗/SOM等),任何从臭氧体系排放到半导体外表的金属和颗粒都会影响晶圆的质量,包含臭氧体系的部件臭氧发生器COM-AD或臭氧分析仪WM,ANSEORS安索罗斯臭氧水体系PAP-SC在与臭氧触摸时彻底不含金属,因而ANSEROS安索罗斯臭氧水处理体系可用于湿法清洗和干法清洗,不管是有酸仍是无酸。为了确保安全,ANSEORS安索罗斯臭氧水体系PAP-SC还包含一个臭氧损坏器CAT-HO。

  ●IMEC和RCA清洗工艺 ●UPW体系 ●高档氧化工艺AOP ●三相体系 ●生物降解DOC ●灭菌 ●消毒 CIP

  德国ANSEROS安索罗斯是全球专业的臭氧技术开发制作商,其出产的臭氧发生器和臭氧水处理体系广泛运用各个职业。